刘兴宇一直秉承“用中国芯、传民族感”的宗旨，聚焦国际先进的传感器芯片的研发设计。随着“中兴事件”发生，着眼国家长远发展，高端传感器，尤其是高端传感器核心芯片的自主可控愈发迫切。从芯片结构设计仿真和工艺研究开始，刘兴宇用了不到15个月，就突破了芯片设计难题，完成了国际上最新的谐振式压力芯片仿真模型。

刘兴宇自主研发设计出MEMS高精度谐振式压力传感器芯片，最高综合精度优于万分之二，打破了西方对我国高端压力传感器的技术封锁和禁运，实现了对禁运产品功能性替代。同时对中国电子科技集团公司第四十九研究所核心芯片的研发换代提供了技术支撑，填补了我国精度优于万分之二压力传感器产品的空白。

“个人有担当，国家有力量。”刘兴宇勇于担当，难题面前不低头，在光学、声学、流体力学、结构力学、磁学等多个方向传感器领域进行攻坚克难，先后协助多个课题组解决项目运行过程中的理论瓶颈问题。

凭借在工作中的突出表现，刘兴宇曾获得中国电子科技集团公司第四十九研究所“优秀新人奖”“党员重大攻关团队奖”“优秀技术人才奖”“技术标兵奖”，并先后获得“黑龙江省青年五四奖章”“中国科学院院长优秀奖”“哈尔滨市第三十七届劳动模范”“哈尔滨市新一代创业人”“中国电子科技集团公司科技进步三等奖”等荣誉。